| 发明名称 | 堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法，此方法包括以下步骤：提供一基板；形成一第一绝缘层于基板上；通过一第一气体及一第二气体进行沉积，以形成一储存层于第一绝缘层上，且第一气体的流量大于第二气体的流量；形成一第二绝缘层于储存层上；形成一位线区域于基板；形成一栅极于第二绝缘层上，其中第一绝缘层、储存层、第二绝缘层及栅极为存储单元的堆叠结构；以及形成一间隔物(spacer)于堆叠结构的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN101236929A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710006383.3 | 申请日期 | 2007.02.02 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 卢棨彬 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1. 一种堆叠结构存储器的存储单元的制造方法，包括：提供一基板；形成一第一绝缘层于该基板上；通过一第一气体及一第二气体进行沉积，以形成一储存层于该第一绝缘层上，且该第一气体的流量大于该第二气体的流量；形成一第二绝缘层于该储存层上；形成一位线区域于该基板；形成一栅极于该第二绝缘层上，该第一绝缘层、该储存层、该第二绝缘层及该栅极为该存储单元的该堆叠结构；以及形成一间隔物于该堆叠结构的侧壁。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||