多位准记忆单元的操作方法及用其作储存资料的集成电路

摘要

本发明是有关一种多位准记忆单元的操作方法。该方法包括：(a)操作多位准记忆单元，至多位准记忆单元的一临界电压大于预先程序化临界电压；以及(b)操作多位准记忆单元，至多位准记忆单元的临界电压大于目标程序化临界电压、小于预先程序化临界电压。另外，在步骤(a)与步骤(b)之间，可进一步包括，(c)进行第一验证步骤，若临界电压小于预先程序化临界电压则重复步骤(a)。此外，在步骤(b)之后，还可包括：(d)进行第二验证步骤，其中若临界电压大于预先程序化临界电压则重复步骤(b)，而若临界电压小于目标程序化临界电压则重复步骤(a)～(d)。本发明可使记忆单元精确地到达目标程序化临界电压，还可降低读取时误判的可能性。

主权项

1. 一种多位准记忆单元的操作方法，该多位准记忆单元包括一基底、一控制栅极、位于该基底与该控制栅极之间的一电荷储存层，以及位于该基底中的二源极/漏极区，其特征在于该操作方法包括：(a)操作该多位准记忆单元，至该多位准记忆单元的一临界电压大于一预先程序化临界电压；以及(b)操作该多位准记忆单元，至该多位准记忆单元的该临界电压大于一目标程序化临界电压、小于该预先程序化临界电压。