发明名称 |
嵌入了MRAM的集成电路中的3D电感器和变压器器件 |
摘要 |
一种集成电路器件(300),包括磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构(310)和至少一个电感元件(312,314),它们利用相同的制作工艺技术形成在相同的基板上。该电感元件可以是电感器或变压器,它形成在与MRAM结构的编程线相同的金属层上。除编程线层之外的任何可用金属层可以添加到电感元件中,以提高效率。MRAM结构(310)和电感元件(312,314)的同时制作有利于有效且低成本地利用基板的有效电路块上的可用物理空间,从而获得三维集成。 |
申请公布号 |
CN101238521A |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200680017817.3 |
申请日期 |
2006.05.09 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
马克·A.·杜尔莱姆;郑勇;罗伯特·W·拜尔德;布拉德利·N·恩格 |
分类号 |
G11C11/14(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/14(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种集成电路器件,包括:基板;形成在所述基板上的磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构,所述MRAM结构包括:由第一金属层形成的至少一个数字线;由第二金属层形成的至少一个位线;以及形成在所述第一金属层和所述第二金属层之间的磁性隧道结芯;以及在所述基板上由所述第一金属层或所述第二金属层中至少一个形成的电感元件。 |
地址 |
美国得克萨斯 |