| 发明名称 | 影像传感器装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种影像传感器装置及影像传感器的制造方法。该方法包含：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及，在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管。在该像素区与该周边区中形成该至少一个晶体管的步骤包含：在该像素区与该周边区中形成栅电极；在该像素区与该周边区上沉积介电层；部分蚀刻该介电层，以在该栅电极上形成多个间隙壁，并留下一部分的该介电层覆盖住该像素区；以及，以离子注入方式形成多个源/漏极区。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101236925A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810009255.9 | 申请日期 | 2008.01.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄俊杰;林志旻;傅文键;杨敦年 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种影像传感器的制造方法，包含以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管；其中，在该像素区中形成至少一个晶体管以及在该周边区中形成至少一个晶体管的步骤包含以下步骤：在该像素区与该周边区中形成栅电极；在该像素区与该周边区上沉积介电层；部分蚀刻该介电层，以在该栅电极上形成多个间隙壁，并留下一部分的该介电层覆盖住该像素区；以及以离子注入方式，形成多个源/漏极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||