发明名称 |
数字磁存储单元装置交换耦合层系统的均匀磁化方法 |
摘要 |
本发明涉及一种均匀磁化数字磁存储位置装置交换耦合层系统的方法,其包括AAF(人造反铁磁))层系统及交换耦合该AAF层系统层的反铁磁层的使用。当该反铁磁层的磁化方向被决定时,该AAF层系统的该磁性层于磁场饱和及之后,该反铁磁层磁化的方向及该饱和磁场的方向彼此的方向被改变,由此是在相对于彼此为0度<α<180度的角度α,于是该饱和磁场被关断。 |
申请公布号 |
CN100409382C |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN02822375.6 |
申请日期 |
2002.10.08 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
H·布雷克;U·克洛斯特曼恩;J·维克 |
分类号 |
H01F41/30(2006.01);H01F10/32(2006.01);G11C11/16(2006.01) |
主分类号 |
H01F41/30(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余刚;李丙林 |
主权项 |
1. 一种均匀地磁化数字磁存储单元装置的交换耦合层系统的方法,所述方法包括:一人造反铁磁层系统;及一反铁磁层,用以与该人造反铁磁层交换耦合,其中该人造反铁磁层包括:一第一磁性层;一第二磁性层;及一耦合层,其位于该第一磁性层与第二磁性层之间;其特征在于,给定反铁磁层磁化的一个限定方向,在一磁场中使该人造反铁磁层系统的磁性层磁化饱和,之后,该反铁磁层的磁化方向位置与磁场的方向之间的关系发生改变,从而使两者相互间的夹角α为0°<α<180°,之后该磁场被关断。 |
地址 |
德国慕尼黑 |