| 发明名称 | 间隙结构制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用以制造间隙结构的方法，其包含步骤：形成一具有一栅极沉积抑制层(2A)的栅极绝缘层(2)、一栅极层(3)与一覆盖沉积抑制层(4)于一半导体基板(1)上，并图形化该栅极层(3)与该覆盖沉积抑制层(4)，以形成栅极堆栈(G)；利用该等沉积抑制层(2A，4)而选择性地沉积一绝缘层(6)以便高度准确地形成一间隙结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100409410C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN03814208.2 | 申请日期 | 2003.05.14 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·图斯 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/51(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1. 一种用以制造一间隙结构的方法，其包含步骤为：a)形成一具有一栅极沉积抑制层(2A)的栅极绝缘层(2)、一栅极层(3)与一覆盖沉积抑制层(4)于一半导体基板(1)上；b)图形化该栅极层(3)与该覆盖沉积抑制层(4)，以形成栅极堆栈(G)；以及c)选择性地沉积一关于该等沉积抑制层(2A，4)的绝缘层(6)，以形成该间隙结构。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||