| 发明名称 | 一种制备纳米薄膜的新方法 | ||
| 摘要 | 一种新型的纳米磁性薄膜的制备工艺，它可以精确的控制纳米磁性薄膜的沉积速度，从而控制薄膜的厚度且尺寸分布比较均匀。同时，新工艺可以降低不同成分的原子在溅射过程中的选择性，延长靶材的使用寿命。最重要的是，新工艺可以选用新型的靶材，节约材料，简化工艺，对生产特别是小批量的科学研究有利。 | ||
| 申请公布号 | CN101235506A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710037117.7 | 申请日期 | 2007.02.02 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 王军;严彪;殷俊林;尤富强;唐人剑;陈伯渠 |
| 分类号 | C23F17/00(2006.01);C23C14/35(2006.01);C21D1/26(2006.01);C03C17/06(2006.01) | 主分类号 | C23F17/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 吴林松 |
| 主权项 | 1. 一种制备纳米薄膜的新方法，包括如下步骤：(1)根据薄膜成分，加工数个直径18-20毫米，厚度为0.5-2毫米的圆片靶材；(2)制备直径19-21毫米，厚度为0.5-2毫米凹坑，边缘有螺纹内孔的靶座；(3)用粘结剂将靶材同心定位粘接在相应的靶座上，充分干燥；(4)用表面刻蚀镀膜机磁控溅射，在基片上沉积制备成分均匀的薄膜；(5)对所得的薄膜材料进行真空退火，得到纳米晶化的磁性薄膜。 | ||
| 地址 | 200092上海市四平路1239号 | ||