| 发明名称 | 静态随机存取存储器元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种静态随机存取存储器元件，至少包括一第一反相器；一第二反相器与第一反相器交互耦合；一第一通过栅电晶体，连接第一反相器至一位元线；以及一第二通过栅电晶体，连接第二反相器至一互补位元线；其中，第一通过栅电晶体或第二通过栅电晶体具有一布局结构，其栅极导电层与其源极接触窗间的一第一距离实质不同于其栅极导电层与其漏极接触窗间的一第二距离，以减少因栅极导电层与源极接触窗未对齐所引起的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101236969A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810006998.0 | 申请日期 | 2008.01.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄怀莹 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01);H01L23/528(2006.01);H01L29/41(2006.01);G11C11/41(2006.01) | 主分类号 | H01L27/11(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种静态随机存取存储器元件，其特征在于至少包括：一第一反相器；一第二反相器与该第一反相器交互耦合；一第一通过栅电晶体，连接该第一反相器至一位元线；以及一第二通过栅电晶体，连接该第二反相器至一互补位元线；其中，该第一通过栅电晶体或该第二通过栅电晶体具有一布局结构，其栅极导电层与其源极接触窗间的一第一距离不同于其栅极导电层与其漏极接触窗间的一第二距离，以增进该静态随机存取存储器元件的稳定性。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||