| 发明名称 | 具有高灵敏度栅极的场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅极介电层，和被设置用作所述晶体管的有源沟道的半导体层。所述有源沟道被构成用于在源极和漏极之间传送电流，并具有对施加于栅极的电压敏感的导电率。所述栅极介电层位于所述栅极和所述半导体层之间，并包括准一维电荷或自旋密度波动材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100409453C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200410034820.9 | 申请日期 | 2004.04.14 |
| 申请人 | 朗迅科技公司 | 发明人 | 格什·布鲁姆伯格;彼得·B.·利托伍德 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1. 一种场效应晶体管，包括：栅极，源极和漏极；被定位用作所述晶体管的有源沟道的半导体层，所述有源沟道被构成用于在源极和漏极之间传送电流，并具有对施加于栅极的电压敏感的导电率；以及栅极介电层，其包括准一维电荷或自旋密度波动材料，并位于所述栅极和所述半导体层之间。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||