| 发明名称 | 包括电荷俘获层的非易失性存储装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101236931A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810008637.X | 申请日期 | 2008.02.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 沈雨宽;李梦燮;车知勋;洪昌基;李根泽 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储装置的制造方法，所述方法包括：在具有沟道区的半导体衬底上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层；对导电层进行构图以形成字线结构；用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以在沟道区上形成阻挡层图案和电荷俘获层图案；以及在沟道区两侧的衬底表面部分处形成杂质区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||