发明名称 |
电磁分离制备Al/Mg<SUB>2</SUB>Si功能梯度材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种电磁分离制备Al/Mg<SUB>2</SUB>Si功能梯度材料的方法,步骤为:第一步,将铸型放在电磁铁两极中间,并将两个直流电极插入铸型中;第二步,开通电磁铁电源,使电磁铁产生磁场,将过共晶Al/Mg<SUB>2</SUB>Si合金熔体浇入铸型中,并同时开通直流电源,使过共晶Al/Mg<SUB>2</SUB>Si合金熔体中产生直流电流;第三步,在电磁场和直流电流的影响下,过共晶Al/Mg<SUB>2</SUB>Si合金熔体中的初生相将受到电磁挤压力的作用而迁移,当合金完全凝固时,切断电磁铁电源和直流电源,取出即得到Al/Mg<SUB>2</SUB>Si功能梯度材料。本发明通过电磁分离技术,所制备的Al/Mg<SUB>2</SUB>Si功能梯度材料梯度分布明显,具有较高的质量,同时,制备方法简单,生产成本低。 |
申请公布号 |
CN101234419A |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200810032733.8 |
申请日期 |
2008.01.17 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
葛超;刘冬;姚忻 |
分类号 |
B22D27/02(2006.01);C22F3/02(2006.01) |
主分类号 |
B22D27/02(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1、一种电磁分离制备Al/Mg2Si功能梯度材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,将铸型放在电磁铁两极中间,并将两个直流电极插入铸型中;第二步,开通电磁铁电源,使电磁铁产生磁场,将过共晶Al/Mg2Si合金熔体浇入铸型中,并同时开通直流电源,使过共晶Al/Mg2Si合金熔体中产生直流电流;第三步,在电磁场和直流电流的影响下,过共晶Al/Mg2Si合金熔体中的初生相将受到电磁挤压力的作用而迁移,当合金完全凝固时,切断电磁铁电源和直流电源,取出即得到Al/Mg2Si功能梯度材料。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |