发明名称 一种静电排斥力驱动的MEMS变形镜
摘要 本发明公开了一种静电排斥力驱动的MEMS变形镜,包含两个电源接线端、硅基底、位于硅基底之上的Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>绝缘层、位于绝缘层之上的多晶硅或金属下极板和下极板锚点,以及位于下极板上方的多晶硅或金属上极板、上极板锚点和上极板支撑梁,其特征在于:所述下极板各条边或者每间隔一条边的外面均有三个条形下电极;本发明的静电排斥力驱动的MEMS变形镜能够消除静电拉(pull-in)现象、增大光学像差校正能力、结构简单;且本发明的静电排斥力驱动的MEMS变形镜可构成连续或分离的镜面,由其构成的自适应光学系统能够适用于各种要求大行程变形镜的光学系统,具有十分重要的应用价值。
申请公布号 CN101236300A 申请公布日期 2008.08.06
申请号 CN200810101294.1 申请日期 2008.03.03
申请人 中国科学院光电技术研究所 发明人 姚军;胡放荣;邱传凯
分类号 G02B26/08(2006.01) 主分类号 G02B26/08(2006.01)
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人 贾玉忠;卢纪
主权项 1、一种静电排斥力驱动的MEMS变形镜,包含电源接线端(1)、电源接线端(2)、硅基底、位于硅基底之上的Si3N4绝缘层、位于绝缘层之上的下极板(3)和下极板锚点(7),以及位于下极板上方的上极板(8)、上极板锚点(10)和上极板支撑梁(9),其特征在于:所述下极板(3)各边缘或者每间隔一条边的边缘外面均排布有三个条形下电极(4)、下电极(5)和下电极(6)。
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