| 发明名称 | 邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件。公开了接触形成方法以及相关的半导体器件。一种方法包括在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；在所述介质层中形成到所述第一衬里的接触孔；在所述接触孔中包括在覆盖所述侧壁的所述第一衬里之上形成第二衬里；去除在所述接触孔的底部处的所述第一和第二衬里；以及使用导电材料填充所述接触孔以形成所述接触。在所述结构的所述侧壁之上的较厚的衬里防止了短路，并允许至少保持在一个或多个所述衬里中的任何的本征应力。 | ||
| 申请公布号 | CN101236917A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810003951.9 | 申请日期 | 2008.01.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 许履尘;D·C·埃德尔斯坦;杨智超 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种邻近衬底上的结构形成接触的方法，所述方法包括以下步骤：在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；在所述介质层中形成到所述第一衬里的接触孔；在所述接触孔中包括在覆盖所述侧壁的所述第一衬里之上形成第二衬里；去除在所述接触孔的底部处的所述第一和第二衬里；使用导电材料填充所述接触孔以形成所述接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||