| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含一第一信号层、一第二信号层、一导线层以及至少一导孔。该导线层形成于该第一信号层以及该第二信号层之间，而导线层上的第一端点以及第二端点间设置有一导线。至少一导孔用以导通第一信号层以及第二信号层。其中，该至少一导孔趋近于第一端点以及第二端点而设置。 | ||
| 申请公布号 | CN101236951A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810083890.1 | 申请日期 | 2008.03.11 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 黄志亿;吴志伟 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01);H01L23/538(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01P3/08(2006.01);H01P11/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/498(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体结构，包含：一第一信号层；一第二信号层；一导线层，形成于该第一信号层以及该第二信号层之间，该导线层上的第一端点以及第二端点间设置有一导线；以及至少一导孔，用以导通该第一信号层以及该第二信号层；其中，该至少一导孔趋近于该第一端点以及该第二端点而设置。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||