| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以用简单的方法把被转印层转印到转印目标基板的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法，包含粘接配置在第1基板(转印源基板(10))的被转印层(12)和第2基板(第1转印目标基板(20))的工序和从第1基板(10)剥离被转印层(12)的工序。粘接被转印层(12)和第2基板(20)的工序包含：在第2基板(20)上配置框状密封材料(22)的工序；在上述密封材料(12)框内区域配置粘接剂(23)的工序；隔着密封材料(22)及粘接剂(23)使第1基板(10)配置了被转印层(12)的面和第2基板(20)重合的工序。密封材料(22)和粘接剂(23)由彼此不相溶的材料构成。此外，配置密封材料(22)的工序之后，在使上述第1基板(10)和第2基板(20)重合的工序中不使密封材料(22)及粘接剂(23)固化。 | ||
| 申请公布号 | CN101236919A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810008948.6 | 申请日期 | 2008.01.31 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 加峯哲治 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/762(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L21/77(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括粘接配置在第1基板上的被转印层和第2基板的工序和从上述第1基板剥离上述被转印层的工序，其特征在于，包括：粘接上述被转印层和上述第2基板的工序；在上述第1基板的配置了上述被转印层的面上或上述第2基板的与上述第1基板相向的面上配置框状的密封材料的工序；在上述密封材料框内的区域配置粘接剂的工序；和隔着上述密封材料及上述粘接剂使上述第1基板的配置了上述被转印层的面和上述第2基板重合的工序；其中，上述密封材料和上述粘接剂由彼此不相溶的材料构成，从配置上述密封材料的工序，到使上述第1基板的配置了上述被转印层的面和上述第2基板重合的工序中，不使上述密封材料及上述粘接剂固化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||