发明名称 |
MOS器件及其制造方法 |
摘要 |
公开了一种具有独立应变的沟道区的NMOS和PMOS器件结构及其制造方法。NMOS器件的源极和漏极由使得NMOS器件沟道的应变朝着拉伸方向偏移的材料外延生长。而PMOS器件的源极和漏极由使得PMOS器件沟道的应变朝着压缩方向偏移的材料外延生长。 |
申请公布号 |
CN101236968A |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200810008903.9 |
申请日期 |
2008.01.25 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
尹海洲;刘小虎;斯德哈萨·潘达;欧阳齐庆;杨美基 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
1.一种器件结构,包括:至少一个NMOS器件和至少一个PMOS器件,其中所述至少一个NMOS器件和所述至少一个PMOS器件具有其寄宿在基于Si的层中的对应的沟道区,其中所述基于Si的层是外延的并且与SiGe支撑层交界,其中第一应变状态为所述基于Si的层所固有;与所述基于Si的层以及与所述SiGe支撑层交界的外延的第二Si基材料,其中所述至少一个NMOS器件的源极和漏极由所述第二Si基材料制成,所述第二Si基材料具有低于所述SiGe支撑层的Ge浓度,所述第二Si基材料实质地填充为所述至少一个NMOS器件的所述源极和所述漏极产生的第一空隙,所述第一空隙穿透所述基于Si的层并进入所述SiGe支撑层,所述第二Si基材料使得所述至少一个NMOS器件的所述沟道区处于应变状态,该应变状态与所述第一应变状态相比被朝着拉伸方向偏移;与所述基于Si的层以及与所述SiGe支撑层交界的外延的第二SiGe材料,其中所述至少一个PMOS器件的源极和漏极由所述第二SiGe材料制成,所述第二SiGe材料具有高于所述SiGe支撑层的Ge浓度,所述第二SiGe材料实质地填充为所述至少一个PMOS器件的所述源极和所述漏极产生的第二空隙,所述第二空隙穿透所述基于Si的层并进入所述SiGe支撑层,所述第二SiGe材料使得所述至少一个PMOS器件的所述沟道区处于应变状态,该应变状态与所述第一应变状态相比被朝着压缩方向偏移。 |
地址 |
美国纽约 |