| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。 | ||
| 申请公布号 | CN100409409C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN03102283.9 | 申请日期 | 2003.01.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和;秋叶麻衣 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，它包括：在具有多个凸起的绝缘膜上形成半导体膜，使得该半导体膜覆盖该多个凸起；将激光辐照到该半导体膜，由此改善该半导体膜的结晶度；图形化具有改善的结晶度的该半导体膜，由此形成岛状半导体膜；以及刻蚀该岛状半导体膜的上表面，由此露出该多个凸起的上表面，其中一部分或全部岛状半导体膜存在于凸起之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||