发明名称 |
具有工程覆层(OVERLAYER)的增强旋转阀传感器 |
摘要 |
公开一种检测数据存储介质上的磁记录信息的GMR传感器。所述传感器包括将导电隔离层夹在中间的铁磁自由层和铁磁固定层。在自由层上形成工程覆层,以便在不降低物理厚度的同时,减小自由层磁厚。 |
申请公布号 |
CN100409313C |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200310116413.8 |
申请日期 |
2003.11.18 |
申请人 |
日立环球储存科技荷兰有限公司 |
发明人 |
维特霍德·库拉;亚历山大·M·泽尔策尔 |
分类号 |
G11B5/39(2006.01);G11B5/62(2006.01);G11B5/72(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/39(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
董莘 |
主权项 |
1. 一种制备GMR传感器的方法,所述GMR传感器在不减小自由层的物理厚度时具有减少的自由层磁厚,所述方法包括:形成具有固定磁矩的铁磁固定层;在所述铁磁固定层上形成导电隔离层;在所述导电隔离层上形成铁磁自由层,以便所述自由层具有物理厚度t以及磁厚Mr*t,所述磁厚表示所述自由层的残余磁矩密度Mr和所述自由层的物理厚度t的乘积;以及在所述自由层上利用沉积处理形成保护性的非导电覆层,减少所述自由层的磁厚,在所述沉积处理中,在存在被控制的氧化气体时,所述覆层被直接沉积在所述自由层上,从而在不减小自由层物理厚度的情况下,将所述自由层的磁厚减少到需要的水平,其中沉积所述覆层包括:以等于或大于24sccm的流速传送的80%的氩和20%的氧的气体混合物提供的氧化下,借助利用氙原子的离子束沉积,沉积金属氧化物材料。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |