| 发明名称 |
区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶的方法 |
| 摘要 |
一种区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶，它是采用区熔定向凝固的方法，通过控制熔区长度、温度梯度和晶体生长速度，制备Ni<SUB>50-58</SUB>Mn<SUB>20-30</SUB>Ga<SUB>20-25</SUB>合金单晶，其工艺路线是：(1)真空感应法熔炼母合金，背底真空度达到10<SUP>-2</SUP>-10<SUP>-3</SUP>Pa，然后充氩气至0.3-0.7×10<SUP>5</SUP>Pa；(2)真空感应炉里直接铸棒；(3)进行区熔定向凝固，控制熔区长度在10-20毫米，凝固温度梯度在200-1000K/cm，晶体生长速度为1-20mm/min；(4)制备出NiMnGa合金单晶；(5)用化学分析或电子探针(能谱)测定化学成分；(6)用热分析系统测量马氏体相变温度，磁致伸缩测量系统测定磁驱动效应。采用区熔定向凝固的方法，有效地制备出NiMnGa合金单晶，合金沿轴向的成分偏差可控制在0.3％范围内，马氏体相变温度偏差小于5℃。 |
| 申请公布号 |
CN100408717C |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
| 申请号 |
CN02121448.4 |
申请日期 |
2002.06.21 |
| 申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
蒋成保;徐惠彬;张天丽;宫声凯;章愫 |
| 分类号 |
C22F1/10(2006.01);C22C19/03(2006.01);C30B13/00(2006.01) |
主分类号 |
C22F1/10(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1. 一种区熔定向凝固法制备磁驱动记忆合金单晶的方法，其特征在于：它是采用区熔定向凝固的方法，通过控制熔区长度、温度梯度和晶体生长速度，制备Ni50-58Mn20-30Ga20-25合金单晶，其工艺路线是：(1)真空感应法熔炼母合金，背底真空度达到10-2-10-3Pa，然后充氩气至0.3-0.7×105Pa；(2)真空感应炉里直接铸棒；(3)进行区熔定向凝固，控制熔区长度在10-20毫米，凝固温度梯度在200-1000K/cm，晶体生长速度为1-20mm/min；(4)制备出NiMnGa合金单晶；(5)用化学分析或电子探针测定化学成分；(6)用热分析系统测量马氏体相变温度，磁致伸缩测量系统测定磁驱动效应。 |
| 地址 |
100083北京市海淀区学院路37号 |
