发明名称 |
低频半导体器件的高频应用技术 |
摘要 |
本发明给出了低频半导体器件的高频应用技术,波频和波阻的计算方法为f=kf<SUB>0</SUB>=k/2π√Lc,ρ=ρ<SUB>o</SUB>/k′=√L/c/k′在各种发射机大功率高频模块或集成电路中应用时,先组成两个整流桥,第一整流桥连接整流滤波(C),输出供给振荡切换电路(F)正偏电压1nv,再由两个整流桥的共同桥壁接到整流滤波(B),由振荡切换电路(F)提供反偏电压。在能源、感应加热,介质加热,高频焊接中应用时,先组成两个整流桥,第一个整流桥连接整流滤波电路(C),输出供给振荡输出电路(F)正偏电压,再由两个整流桥的共同桥壁接到整流滤波(B),通过电感器输入到振荡输出电路(F)反偏电压。本产品寿命长,造价低,性能稳定可靠,效率高,频率高,功率大,体积小,重量轻。 |
申请公布号 |
CN101237218A |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200710017345.8 |
申请日期 |
2007.02.02 |
申请人 |
郭宝安 |
发明人 |
郭宝安 |
分类号 |
H03B1/00(2006.01);H03B1/02(2006.01);H02M1/00(2007.01);H02M5/00(2006.01);H05B6/00(2006.01);H05B6/02(2006.01);B23K13/01(2006.01) |
主分类号 |
H03B1/00(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1. 低频半导体器件的高频应用技术,其特征在于频率的计算方法与波阻的计算方法为f=kf0=k/2π√Lc,ρ=ρo/k′=√L/c/k′,k及k′为经验系数,L、C为接口谐振电路的实际参数,改变L、C的数值即可改变频率f,波阻ρ的数值。 |
地址 |
712201陕西省武功县小村工商所 |