| 发明名称 | 消除金属连线上铜颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，该方法包括：硅片以2500-3500rpm的转速旋转，药液以200-400ml/min的流量从上面喷冲硅片0.5-1.5min；去离子水以600-1000ml/min的流量冲洗硅片；将硅片旋转干燥。本发明的单片式处理方法能有效减少铜颗粒，避免了铜颗粒可能导致的线路短路，提高了产品的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN100409416C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200510111172.7 | 申请日期 | 2005.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 柯炼;赵晓亮;荣毅 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/321(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1. 一种消除金属连线上铜颗粒的单片式处理方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)硅片以2500-3500rpm的转速旋转，药液以200-400ml/min的流量从上面喷冲硅片0.5-1.5min；(b)去离子水以600-1000ml/min的流量冲洗硅片；(c)将硅片旋转干燥。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||