晶圆多重测试方法

主权项

1.一种晶圆多重测试方法，适用于一晶圆制程中，其中该晶圆包括复数晶粒，该晶圆多重测试方法包括下列步骤：测试每一该等晶粒，以决定每一该等晶粒之状态系为第一状态或第二状态其中之一者，并记录该等晶粒之状态于该等晶粒；将该晶圆进行处理；以及再次测试该第一状态之每一该等晶粒，以决定处理后之每一该等晶粒系为该第一状态或该第二状态其中之一者。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆多重测试方法，其中该晶圆系为非挥发性记忆体。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆多重测试方法，其中将该晶圆进行处理之步骤中之该处理包括晶圆烘烤处理。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆多重测试方法，其中该第一状态为合格状态，且该第二状态为不合格状态。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆多重测试方法，其中该第一状态为不合格状态，且该第二状态为合格状态。6.一种晶圆多重测试方法，适用于一非挥发性记忆体之晶圆制程中，其中该晶圆包括复数晶粒，该晶圆多重测试方法包括下列步骤：测试每一该等晶粒，以决定每一该等晶粒之状态系为合格状态或不合格状态其中之一者，并于该晶粒之状态为该不合格状态时，以该不合格状态为该晶粒之测试结果，且于该晶粒之状态为该合格状态时，记录该晶粒之状态于该晶粒；将该晶圆进行烘烤处理；以及再次测试该合格状态之每一该等晶粒，以判断该合格状态之该晶粒处理后系为该合格状态或该不合格状态其中之一者，而决定该合格状态之该晶粒处理后之测试结果。7.如申请专利范围第6项所述之晶圆多重测试方法，其中更包括一步骤：合并该晶圆之每一该等晶粒之测试结果，而得到一晶圆测试结果图。8.一种晶圆多重测试方法，适用于一非挥发性记忆体之晶圆制程中，其中该晶圆包括复数晶粒，该晶圆多重测试方法包括下列步骤：测试每一该等晶粒，以决定每一该等晶粒之状态系为合格状态或不合格状态其中之一者，并于该晶粒之状态为该合格状态时，以该不合格状态为该晶粒之测试结果，且记录该等晶粒之状态于该等晶粒；将该晶圆进行烘烤处理；以及再次测试该不合格状态之每一该等晶粒，以判断该不合格状态之该晶粒处理后系为该合格状态或该不合格状态其中之一者，而决定该不合格状态之该晶粒处理后之测试结果。9.如申请专利范围第8项所述之晶圆多重测试方法，其中更包括一步骤：合并该晶圆之每一该等晶粒之测试结果，而得到一晶圆测试结果图。图式简单说明：第1图系显示习知晶圆测试之晶粒测试结果示意图。第2图系显示本发明之晶粒第一次测试示意图。第3a图系本发明第一实施例之测试流程图。第3b图系第一实施例之晶粒第二次测试示意图。第3c图系第一实施例之测试结果示意图。第4a图系本发明第二实施例之测试流程图。第4b图系第二实施例之晶粒第二次测试示意图。第4c图系第二实施例之测试结果示意图。