形成金属矽化物之方法

主权项

1.一种形成金属矽化物之方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上具有一多晶矽闸极，该多晶矽闸极及该半导体基底表面上形成有一金属层；对该半导体基底进行回火处理，以使该半导体基底与该多晶矽闸极与该金属层反应形成金属矽化物；将该半导体基底以双氧水溶液中清洗以去除未反应之金属层，其中该双氧水溶液不包括氨水；及将该半导体基底以含有磷酸之清洗溶液清洗。2.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中该半导体基底上更包括一闸极氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中该金属层为钴金属层。4.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中该金属矽化物为矽化钴。5.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中该半导体基底以浸入该双氧水溶液内的方式清洗。6.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中该半导体基底以浸入该磷酸溶液内的方式清洗。7.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中该清洗溶液中更包含硝酸溶液及醋酸溶液。8.如申请专利范围第7项所述之形成金属矽化物之方法，其中该清洗液之磷酸溶液、硝酸溶液及醋酸溶液之组成比例为磷酸：硝酸：醋酸＝70：10：2-3。9.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该半导体基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该半导体基底以去离子水清洗的步骤。10.如申请专利范围第1项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该半导体基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该半导体基底以去离子水清洗的步骤。11.一种形成金属矽化物之方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一多晶矽闸极，其中该多晶矽闸极具有间隙壁；于该半导体基底及该多晶矽闸极之表面上依序顺应性形成一金属层及一阻隔层；对该半导体基底进行回火处理，以使该半导体基底与该多晶矽闸极与该金属层反应以形成金属矽化物；将该半导体基底浸入双氧水溶液中清洗以去除该阻隔层及该金属层，其中该双氧水溶液不包括氨水；及将该半导体基底浸入包含磷酸、硝酸及醋酸之混合溶液中清洗。12.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中该间隙壁之材料为氮化矽。13.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中该金属层为钴金属层。14.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中该阻隔层为含钛金属。15.如申请专利范围第14项所述之形成金属矽化物之方法，其中该阻隔层为氮化含钛金属层。16.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中该金属矽化物为矽化钴。17.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中该混合溶液之组成比例为磷酸：硝酸：醋酸＝70：10：2-3。18.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该半导体基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该半导体基底以去离子水清洗的步骤。19.如申请专利范围第11项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该半导体基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该半导体基底以去离子水清洗的步骤。20.一种形成金属矽化物之方法，包括下列步骤：提供一矽基底，该矽基底上形成有一多晶矽闸极，该多晶矽闸极具有间隙壁，其中该多晶矽闸极由多晶矽材料所形成；于该矽基底及该多晶矽闸极表面上依序顺应性形成一金属层及一阻隔层；对该矽基底进行回火处理，以使该矽基体与该多晶矽闸极上形成金属矽化物，其中该多晶矽闸极之该间隙壁上形成有残余金属矽化物；将该矽基底浸入双氧水溶液中清洗以去除该氧化阻隔层及未反应之该金属层，其中该双氧水溶液不包括氨水；及将该矽基底浸入磷酸、硝酸及醋酸之混合溶液中清洗以去除该残余非金属矽化物之反应产物。21.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该矽基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该矽基底以去离子水清洗的步骤。22.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该矽基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该矽基底以去离子水清洗的步骤。23.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中该间隙壁为氮化矽。24.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中该金属层为钴金属层。25.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中该阻隔层为含钛金属层或氮化含钛金属层其中之一。26.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中该金属矽化物为矽化钴。27.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中该残余非金属矽化物之反应产物为氧化钴或三氧化二钴。28.如申请专利范围第20项所述之形成金属矽化物之方法，其中该混合溶液之组成比例为磷酸：硝酸：醋酸=70：10：2-3。29.一种形成金属矽化物之方法，包括下列步骤：提供一矽基底，该矽基底上形成有一多晶矽闸极，其中该多晶矽闸极之侧壁形成有间隙壁；于该矽基底及该多晶矽闸极表面上依序顺应性形成一钴金属层及一含钛金属层；对该矽基底进行回火处理，以使该矽基底及该多晶矽闸极表面上形成二矽化钴层，其中该间隙壁表面上形成有氧化钴层；将该矽基底浸入双氧水溶液中清洗以去除该含钛金属层及未反应之该钴金属层，其中该双氧水溶液不包括氨水；及将该矽基底浸入磷酸：硝酸：醋酸=70：10：2-3之混合溶液中清洗以去除该氧化钴层。30.如申请专利范围第29项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该矽基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该矽基底以去离子水清洗的步骤。31.如申请专利范围第29项所述之形成金属矽化物之方法，其中将该矽基底浸入双氧水溶液中清洗后更包括将该矽基底以去离子水清洗的步骤。32.如申请专利范围第29项所述之形成金属矽化物之方法，其中该间隙壁为氮化矽。图式简单说明：第1a图至第1e图系习知之形成金属矽化物之方法。第2a图至第2f图系本发明之形成金属矽化物之方法。