发明名称 |
发光二极体之封装结构 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWM337836 |
申请公布日期 |
2008.08.01 |
申请号 |
TW096219768 |
申请日期 |
2007.11.22 |
申请人 |
亿光电子工业股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 台北县土城市中央路3段76巷25号 |
发明人 |
陈玉臻;赵自皓;李晓乔 |
分类号 |
H01L33/00 (2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00 (2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
1.一种发光二极体之封装结构,至少包含:一基板,其中该基板系具有一凹槽;至少一发光二极体晶片,置于该凹槽内;以及一抗反射透明盖板,置于该基板上,以密封该凹槽。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装结构,其中该凹槽内不包含有封胶体。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装结构,其中该抗反射透明盖板为一玻璃板。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装结构,其中该基板之材质为陶瓷基板。5.一种发光二极体之封装结构,至少包含:一基板;至少一凸块,置于该基板上,以形成一凹槽;至少一发光二极体晶片,置于该凹槽内;以及一抗反射透明盖板,置于该至少一凸块上,以密封该凹槽。6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体之封装结构,其中该凹槽内不包含封胶体。7.如申请专利范围第5项所述之发光二极体之封装结构,其中该基板为陶瓷基板。8.如申请专利范围第5项所述之发光二极体之封装结构,其中该至少一凸块系利用低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramics)来置放于该基板上。图式简单说明:第1图系绘示根据本创作之第一实施例之发光二极体封装结构的侧视示意图。第2图系绘示根据本创作之第二实施例之发光二极体封装结构的侧视示意图。 |
地址 |
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