侧面型发光二极体之改良结构

主权项

1.一种侧面型发光二极体之改良结构，其结构至少包含：一底座，两对应侧分别具有一前凹槽及一后凹槽；二导电接脚，其一端相互面对，并分别固定于该底座内，该端之一面面对该前凹槽，并显露于该前凹槽内，而该端之另一面则面对该后凹槽，并显露于该后凹槽内，其另端则分别以相反之方向伸出底座外；至少一个发光二极体晶片，分别放置于该二导电接脚面对该前凹槽之位置，并电气连接该些导电接脚；一电磁波防护晶片，放置于该二导电接脚面对该后凹槽之位置，并电气连接该些导电接脚；一第一封装部，形成于该前凹槽内；一第二封装部，形成于该后凹槽内；以及一透镜盖，设置于该底座具有该前凹槽之一侧，而覆盖该第一封装部及该至少一发光二极体晶片。2.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该第一封装部具透光性，为掺有萤光粉之胶材。3.如申请专利范围第2项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该第一封装部为矽胶或环氧树脂。4.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该第二封装部为矽胶或或树脂。5.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该透镜盖朝外呈现出单峰突出状之一第一圆弧体，以供集中发射该至少一发光二极体晶片分别所发出之光线。6.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该透镜盖朝外呈现出双峰突出状之一第二圆弧体，以供扩散地发射该至少一发光二极体晶片分别所发出之光线。7.如申请专利范围第6项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该第二圆弧体之双峰间具有一凹陷部，该凹陷部于该透镜盖之外部表面分别区分出两区域，各区域分别供该至少一发光二极体晶片所发出之光线以不同之方向发射出去。8.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该底座系为具环氧树脂之胶材。9.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该至少一发光二极体晶片分别以一第一导线打线至对应之导电接脚上，而分别电气连接对应之导电接脚。10.如申请专利范围第1项所述之侧面型发光二极体之改良结构，其中该电磁波防护晶片于该一导电接脚上，以一第二导线打线至另一导电接脚上，分别电气连接对应之导电接脚。图式简单说明：第1图系绘示本新型侧面型发光二极体之立体图。第2图系绘示本新型侧面型发光二极体之侧边剖面图。第3图系绘示本新型侧面型发光二极体具有第一圆弧体外观示意图。第4图系绘示本新型侧面型发光二极体具有第二圆弧体外观示意图。