双面黏着胶带以及使用该胶带之ＩＣ晶片之制造方法

主权项

1.一种双面黏着胶带，其特征在于，系在至少一面上含有受光刺激会产生气体之气体产生剂，气体产生剂为偶氮化合物或迭氮化合物。2.一种双面黏着胶带，其特征在于，系在至少一面之仅表面部分含有受刺激会产生气体之气体产生剂，气体产生剂为偶氮化合物或迭氮化合物。3.如申请专利范围第1或2项之双面黏着胶带，其中，气体产生剂不以粒子状态存在。4.如申请专利范围第1项之双面黏着胶带，其中，偶氮化合物为以式(1)所表示之偶氮醯胺化合物，前述式(1)中，R1及R2分别代表相同或相异的低级烷基，R3代表碳数2以上的饱和烷基。5.如申请专利范围第2项之双面黏着胶带，其中，气体产生剂系仅在表面部分含有。6.如申请专利范围第1或2项之双面黏着胶带，其中，含有气体产生剂之黏着剂，系受刺激会使弹性模数上昇者。7.如申请专利范围第1或2项之双面黏着胶带，其中，含有气体产生剂之黏着剂，系受刺激会使黏着力降低者。8.如申请专利范围第1或2项之双面黏着胶带，其至少一面，系施加压花加工。9.如申请专利范围第1或2项之双面黏着胶带，其至少一面，系由可吸水之黏着剂构成。10.一种IC晶片之制造方法，系至少具有以下制程：透过申请专利范围第1、2、3、4、5、6、7、8或9项之双面黏着胶带，将晶圆固定于支持板之制程；于透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之状态下，进行研磨之制程；对双面黏着胶带施予刺激之制程；及将双面黏着胶带自晶圆剥离之制程；其特征在于：在前述透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之制程中，至少在与晶圆贴合的双面黏着胶带之面上，含有气体产生剂。11.一种IC晶片之制造方法，系至少具有以下制程：透过申请专利范围第1、2、3、4、5、6、7、8或9项之双面黏着胶带，将晶圆固定于支持板之制程；于透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之状态下，进行研磨之制程；对双面黏着胶带施予刺激之制程；自贴合于晶圆之双面黏着胶带，将支持板剥离之制程；及将双面黏着胶带自晶圆剥离之制程；其特征在于：在前述透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之制程中，至少在与支持板贴合的双面黏着胶带之面上，含有气体产生剂。12.如申请专利范围第10或11项之IC晶片之制造方法，系至少具有以下制程：透过申请专利范围第9项之双面黏着胶带，将晶圆固定于支持板之制程；于透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之状态下，进行研磨之制程；对双面黏着胶带施予刺激之制程；及将双面黏着胶带自前述晶圆剥离之制程；其中，在前述透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之制程中，系以双面黏着胶带之压花加工施加面与支持板贴合。13.如申请专利范围第10或11项之IC晶片之制造方法，其中，透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之制程，系在晶圆与支持板之任一方上贴合双面黏着胶带后，或在晶圆与支持板的贴合位置上设置双面黏着胶带，于真空容器内在减压状态下，透过双面黏着胶带将晶圆与支持板实施贴合。14.如申请专利范围第13项之IC晶片之制造方法，其中，于真空容器内的减压，系在晶圆与支持板分离之状态下实施。15.如申请专利范围第10或11项之IC晶片之制造方法，系至少具有以下制程：透过申请专利范围第9项之双面黏着胶带，将晶圆固定于支持板上之制程；于透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之状态下，进行研磨之制程；对双面黏着胶带施予刺激之制程；及将双面黏着胶带自晶圆剥离之制程；其中，在前述透过双面黏着胶带将晶圆固定于支持板之制程中，将双面黏着胶带之由可吸水的黏着剂构成之面与支持板贴合，系于由可吸水的黏着剂构成之面经水濡湿后，且水尚未被由可吸水的黏着剂构成之面完全吸收前实施。图式简单说明：图1表示晶圆与支持板于分离之状态下进行减压，在减压状态下实施贴合之装置的示意图。