发明名称 发光二极体装置
摘要
申请公布号 TWM337839 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096220137 申请日期 2007.11.28
申请人 亿光电子工业股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 台北县土城市中央路3段76巷25号 发明人 周嘉峰;张汉錡
分类号 H01L33/00 (2006.01) 主分类号 H01L33/00 (2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种发光二极体装置,包含:一电路基板;多数个发光二极体,装设于该电路基板上;以及一反射盖,具有不透光特性,该反射盖包含一反射盖本体以及多数个穿孔,该反射盖本体具有相背设置的一第一侧面、一第二侧面,该等穿孔系沿着一第一轴线延伸贯穿该第一侧面与该第二侧面,该等穿孔具有一前孔部与一后孔部,该后孔部自该前孔部沿着一第二轴线延伸,该第二轴线系正交于该第二轴线,该前孔部邻靠于该第一侧面,该后孔部邻靠于该第二侧面,该等发光二极体晶粒分别埋置于该反射盖之穿孔的后孔部中。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该发光二极体为一发光二极体晶粒,其系以晶粒直接封装方式固设于该电路基板上。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该发光二极体为一发光二极体晶片,其系以表面黏着方式封装于该电路基板上。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该反射盖更具有多数个透光胶层,该等透光胶层分别填覆于该等穿孔的前孔部中。5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体装置,其中,该透光胶层为环氧树脂。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体装置,其中,该反射盖之穿孔的后孔部为一弧形槽。图式简单说明:第1图系为一种现有发光二极体装置的正面图。第2图系为沿第1图中线条2-2延伸的剖视图。第3图相类似于第2图,系为现有发光二极体装置施予薄型化的剖视图。第4图相类似于第1图,系为现有发光二极体装置施予薄型化的正面图。第5图系为本新型一实施例之发光二极体装置的正面图。第6图系为沿第5图中线条6-6延伸的剖视图。
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