| 摘要 |
一种半导体结构，包括：半导体基底；第一导电型的第一金氧半导体装置，包括：第一闸极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第一闸极电极层，形成于第一闸极介电层上；矽化层，形成于含有金属的第一闸极电极层上；以及第二导电型的第二金氧半导体装置，其导电型与第一导电型相反，包括：第二闸极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第二闸极电极层，形成于第二闸极介电层上；以及接触蚀刻停止层，具有一部份形成于含有金属的第二闸极电极层上，其中介于接触蚀刻停止层的上述部分与含有金属的第二闸极电极层之间的区域，实质上不含矽。 |
