| 摘要 |
本发明提供一种GaN系半导体发光元件，其具有含In之量子井构造之活性层，可抑制因在活性层之后所成长的半导体层之成长温度所导致的热损伤，并且可一方面提高In之摄入量，一方面提升发光特性及电气特性。本发明系在蓝宝石基板1上层叠有n型GaN接触层2、n型AlInGaN/AlGaN超晶格层3、活性层4、p型AlGaN阻隔层8、及p型GaN接触层5，且设有n电极7与p电极6。活性层4系具有量子井构造之活性层，以Al#sB!X1#eB!In#sB!Y1#eB!Ga#sB!Z1#eB!N(X1+Y1+Z1=1，0＜X1＜1，0＜Y1＜1)构成井层，以Al#sB!X2#eB!In#sB!Y2#eB!Ga#sB!Z2#eB!N(X2+Y2+Z2=1，0≦X2＜1，0≦Y2＜1，Y1＞Y2)构成障壁层，且井层与障壁层系藉由温度调变而形成。 |
