发明名称 | 低温多晶矽薄膜制作方法 | ||
摘要 | 一种低温多晶矽薄膜制作方法,其包括以下步骤:提供一基板,并于该基板上形成一缓冲层;于该缓冲层上沈积一第一非晶矽薄膜;藉由一光罩制程,蚀刻该第一非晶矽薄膜,于该缓冲层上保留复数分散之非晶矽颗粒;于该缓冲层上沈积一覆盖该非晶矽颗粒之第二非晶矽薄膜;对该第二非晶矽薄膜进行再结晶工艺,使该第二非晶矽薄膜熔融后以该复数非晶矽颗粒为晶种再结晶,形成一多晶矽薄膜。 | ||
申请公布号 | TW200832714 | 申请公布日期 | 2008.08.01 |
申请号 | TW096103220 | 申请日期 | 2007.01.29 |
申请人 | 群创光电股份有限公司 | 发明人 | 叶冠华;吴宏基;黄荣龙 |
分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 苗栗县竹南镇新竹科学园区科学路160号 |