用高密度等离子氧化层作为多晶矽层间绝缘层的分隔栅的构成

摘要

本发明公开一种制造带有分隔栅并填充在半导体衬底上开口的沟道的沟道型半导体功率器件的方法，其中分隔栅由顶底栅节段之间设置的多晶矽层间绝缘层分离。该方法进一步包括在HDP氧化淀积工艺后通过应用RTP工艺形成多晶矽层间层以使HDP氧化层的刻蚀速率接近热氧化的刻蚀速率的步骤。