| 摘要 |
揭露一种整合式接面场效电晶体，因为在半导体基板中没有使用浅沟槽隔离或场氧化物隔离独立的电晶体，故其尺寸小许多且制造成本低许多。取而代之的是，一层隔离材料系形成在该基板之顶部表面上，且在该隔离材料中蚀刻互连沟槽，其并未一直向下蚀刻到达半导体基板。接触开口在隔离层中一直向下蚀刻到达半导体基板。经过掺杂之多晶矽系形成于该等接触开口与互连通道中，且矽化物系形成于多晶矽之顶部上。此接触与互连构造应用于任何整合式电晶体。文中所揭露之整合式JFET并未使用STI或场氧化物，并使用接面隔离。一用JFET系建立于一P井中，该P井系包覆于一植入该基板内的N井中。形成对于P井、N井与基板以及对于源极、汲极之独立接点，以致于能够藉着逆偏压一PN接面而隔离该装置。将操作电压限制成低于0.7伏特，以防止产生闩锁。 |
