于化学机械研磨中用于调整低Ｋ物质相对于铜移除速率的方法及浆料

摘要

描述了一种用于在半导体晶片上的金属基材的化学机械平坦化(CMP)的组合物及相关方法。组合物包含非离子碳氟界面活性剂和过型氧化剂（例如过氧化氢）。组合物及相关方法对于在铜CMP期间控制低k材料移除速率是有效的，并提供低k膜移除速率相对于铜、钽和氧化膜移除速率的可调整能力。