| 摘要 |
本发明主要系一种靶材，其元素组成为IB#sB!x#eB!-IIIA#sB!y#eB!-VIA#sB!z#eB!；其中，IB系至少选自于一种以下之群组：Cu及Ag；IIIA系至少选自于一种以下之群组：In及Ga；VIA系至少选自于一种以下之群组：S、Se及Te；x为IB含量的原子百分比、y为IIIA含量的原子百分比、z为VIA含量的原子百分比，且满足0≦x＜1、0≦y＜1、0＜z＜1，x＋y＋z=1；该靶材的制法系包含以下步骤：形成预合金：将一靶材元素与靶材元素组成中一种以上的其他元素合成预合金；造粉：将预合金制成粉末；混粉：将此粉末直接混合或再与其他元素或预合金粉末混合；烧结：混合粉末经烧结后形成靶材；本发明另包含一种用于太阳能电池的薄膜，其系使用上述之靶材溅镀制成。 |
