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发明名称
形成用于高容量记忆卡之单层基板的方法
摘要
本发明揭示一种形成包含一单侧基板之一半导体封装的方法。在本发明之一第一具体实施例中,一基板可包含该基板之一顶部表面上(即与上面安装晶粒的该基板之相同侧上)的一导电层。在本发明之一第二具体实施例中,一基板可包含该基板之一底部上(即上面安装该晶粒的该基板之相对侧上)的一导电层。
申请公布号
TW200832575
申请公布日期
2008.08.01
申请号
TW096136795
申请日期
2007.10.01
申请人
桑迪士克股份有限公司
发明人
奇门 育;汉 塔奇尔;廖智清
分类号
H01L21/60(2006.01);H01L23/498(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
黄章典;楼颖智
主权项
地址
美国
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