发明名称 用于非依电性记忆体之高速扇出系统架构与输出入电路
摘要 各种不同实施例中,多个非依电性记忆体装置,诸如NAND快闪记忆体装置,于允许该等多个非依电性记忆体装置中之每一个同时执行读取及/或写入操作的一扇出组态中,可连接至一主机控制器装置。每一个非依电性记忆体装置可包括高速输入电路及高速输出电路,使得往返电晶体之资料传送动作不受限于该快闪记忆体读取/写入介面之速度。
申请公布号 TW200832414 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096144076 申请日期 2007.11.21
申请人 英特尔公司 发明人 罗兹曼 罗德尼R. ROZMAN, RODNEY R.;艾列特 席安S. EILERT, SEAN S.;卡华米 雪考弗;兴顿 格伦J. HINTON, GLENN J.
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C19/28(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国