发明名称 |
用于非依电性记忆体之高速扇出系统架构与输出入电路 |
摘要 |
各种不同实施例中,多个非依电性记忆体装置,诸如NAND快闪记忆体装置,于允许该等多个非依电性记忆体装置中之每一个同时执行读取及/或写入操作的一扇出组态中,可连接至一主机控制器装置。每一个非依电性记忆体装置可包括高速输入电路及高速输出电路,使得往返电晶体之资料传送动作不受限于该快闪记忆体读取/写入介面之速度。 |
申请公布号 |
TW200832414 |
申请公布日期 |
2008.08.01 |
申请号 |
TW096144076 |
申请日期 |
2007.11.21 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
罗兹曼 罗德尼R. ROZMAN, RODNEY R.;艾列特 席安S. EILERT, SEAN S.;卡华米 雪考弗;兴顿 格伦J. HINTON, GLENN J. |
分类号 |
G11C16/06(2006.01);G11C19/28(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
美国 |