具有金属电容器的非易失性存储单元及电子系统

摘要

本发明涉及一种置于半导体晶片中的存储单元，包括非易失性存储电晶体、控制栅和浮栅。所述控制栅通过金属电容器与非易失性存储电晶体上的浮栅电容性连接。所述金属电容器可形成在所述半导体晶片的一个或多个金属层内。一个实施例中，所述金属电容器是多齿的梳状。一个实施例中，所述非易失性存储电晶体是NMOS非易失性存储电晶体。本发明还涉及一种电子系统。