发明名称 |
热微影蚀刻用增强化学型正型光阻组成物及光阻图型之形成方法 |
摘要 |
一种热微影蚀刻用增强化学型正型光阻组成物,其为形成热微影蚀刻用之光阻膜之热微影蚀刻用增强化学型正型光阻组成物,其中,使用该热微影蚀刻用增强化学型正型光阻组成物所形成之光阻膜,于前述热微影蚀刻中所使用之曝光光源的波长中,每一膜厚100nm具有0.08以上之吸光度。 |
申请公布号 |
TW200832067 |
申请公布日期 |
2008.08.01 |
申请号 |
TW096137130 |
申请日期 |
2007.10.03 |
申请人 |
东京应化工业股份有限公司 |
发明人 |
古谷早苗;羽田英夫 |
分类号 |
G03F7/039(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/039(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
|
地址 |
日本 |