具有良好热膨胀系数效能之晶圆级封装及其方法

摘要

本发明系提供一种封装结构，包含基板，其具有预先形成之晶粒接收凹槽和/或终端接触金属垫，形成于基板之上部表面。晶粒则配置黏附于晶粒接收凹槽，而介电层则形成于晶粒与基板之上。至少一重分布增进层(re-distribution built up layer，简称RDL)形成于介电层之上，并透过接触焊垫耦合至晶粒。连接结构，诸如球底层金属(UBM)则形成于重分布增进层之上，而终端导电凸块则耦合至球底层金属(UBM)。