用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应电晶体的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的分裂栅

摘要

本发明公开了一个具有沟槽的金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）单元。所述的具有沟槽的MOSFET单元包括一个从半导体基底顶表面打开的沟槽栅极，所述的半导体基底被一个源极区域所环绕，所述的源极区域包含在一个主体区域中，所述的主体区域位于一个漏极区域之上，所述的漏极区域设置在所述基底的底表面。所述的沟槽栅极进一步包括至少两个相互绝缘的沟槽填充区域，每个沟槽填充区域填充有具有不同功函数的材料。在一个实施例中，所述的沟槽栅极包括一个位于所述沟槽栅极底部的多晶矽区域，以及一个位于所述沟槽栅极顶部的金属区域。