| 摘要 |
在写入资料至电阻式记忆体装置(resistive memory device)(130)(也就是，程式化或抹除)的第一方法中，连续的电位(electrical potential)系施加通过该电阻式记忆体装置(130)，其中，该连续的电位(electrical potential)具有增加的持续时间(increasing duration)。在写入资料至电阻式记忆体装置(130)(也就是，程式化或抹除)的另一方法中，电位系施加通过该电阻式记忆体装置(130)，而通过该记忆体装置(130)的电流位准(level)系于该电位被施加时被感测。该电位的施加是根据通过该电阻式记忆体装置(130)之选定的电流位准而结束。 |
