具有超晶格结构之阻障层的发光二极体

摘要

本发明揭露一种具有具超晶格结构之阻障层的发光二极体（LED）。在具有位于基于GaN之N型化合物半导体层与基于GaN之P型化合物半导体层之间的活性区域之LED中，活性区域包括井层以及具有超晶格结构之阻障层。当使用具有超晶格结构之阻障层时，有可能减少由井层与阻障层之间的晶格失配引起之缺陷的发生。