| 摘要 |
本发明提供一种磊晶矽晶圆，其中磊晶层系在具有从矽单晶的{110}平面倾斜之平面作为其主表面的矽晶圆上生长。于在其上生长该磊晶层的矽晶圆中，该{110}平面的倾斜方位角系在从平行于该{110}平面的＜100＞方向朝＜110＞方向测量的0至45度范围之内。于此种配置之下，可以从该{110}晶圆测量到100奈米或更小的光点缺陷(LPD)，该{110}晶圆具有高于{100}晶圆的载子移动率(包括电洞和电子的移动率)。此外，可以抑制在{110}晶圆内的表面粗糙度降级。而且，可以测量该{110}晶圆的表面状态。再者，可以在该{110}晶圆上实施品质评估。 |
