| 摘要 |
本发明之实施例满足改善电迁移及减少应力引发之铜配线空隙的需求，系藉由沉积一薄而保形之阻隔层，及一铜层于该铜配线达成。于该阻隔层及该铜层之间的黏接可藉由在铜沉积之前使该阻隔层为富金属的，以及限制在铜沉积之前该阻隔层暴露于氧之量，而改善。或者，可沉积一功能化层于该阻隔层上，以使得在该阻隔层及该铜层之间为良好黏接地，将铜层沉积在该铜配线中。本发明提供一制备基板之基板表面之方法，系于整合系统中，沉积一功能化层在一铜配线之金属阻隔层上，以协助沉积铜层于该铜配线中，以改善铜配线之电迁移性能。该方法包含于该整合系统中沉积该金属阻隔层以填入该铜配线结构，其中，于沉积该金属阻隔层后，将该基板于受控制之环境中运送及处理，以防止形成金属阻隔氧化物。该方法更包含于该整合系统中沉积该功能化层于该金属层上。该方法更包含于该整合系统中于该功能化层被沉积在该金属阻隔层上后，沉积该铜层于铜配线结构中。 |
