发明名称 研磨液及研磨方法
摘要 本发明系提供一种半导体装置之配线形成步骤等中用于研磨之研磨液及研磨方法者。该研磨液系使用于表面具有至少为阻隔导体层及以铜为主成分之导电性物质之被研磨面的研磨者。被研磨面即使由复数物质所形成仍可取得高度平坦性之被研磨面,更可抑制研磨后之金属残渣,研磨损伤之研磨液,及利用其之化学机械研磨的方法。本发明研磨液系含有界面活性剂及有机溶媒至少一边与氧化金属溶解剂及水之研磨液者,或含有其表面以烷基改性之研磨粒与水之研磨液者、较佳者更含有金属氧化剂,水溶性聚合物,金属防蚀刻者。
申请公布号 TW200831656 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW097100408 申请日期 2002.10.31
申请人 日立化成工业股份有限公司 发明人 天野仓仁;樱田刚史;安西创;深泽正人;佐佐木晶市
分类号 C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 C09K3/14(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本