发明名称 用于低暗电流成像器之隔离方法
摘要 本发明揭示一种用于在一影像感测器之感光区域之间形成钝化层用于矽隔离介面之方法,该方法包括提供一基板,其具有回应入射光而收集电荷之复数个间隔感光区域;在该等感光区域之间在该基板内蚀刻沟渠;在该等感光区域之上形成复数个光罩,使得在该等感光区域之间的沟渠不被该等光罩覆盖;使用一第一低剂量植入该影像感测器以钝化该等沟渠;使用一介电质来填充该等沟渠以在该等感光区域之间形成隔离;形成复数个光罩,其覆盖该等感光区域,但不覆盖该隔离沟渠之一表面角落以在该沟渠隔离之该表面角落处允许钝化植入;及在一第二低剂量下植入该影像感测器以钝化沟渠隔离区域之表面角落。
申请公布号 TW200832691 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096138738 申请日期 2007.10.16
申请人 柯达公司 发明人 藤田弘明
分类号 H01L27/146(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国