发明名称 画素结构的制作方法
摘要 一种画素结构的制作方法包括下列步骤。首先,提供一形成有一主动元件之基板并形成一覆盖主动元件之介电层。在主动元件上方形成一具有一开口且不同厚度的第一光阻层。在进行一蚀刻制程以经由开口在介电层中形成一接触窗后,减少第一光阻层厚度,移除部分第一光阻层并暴露出部分介电层。接着,形成一覆盖部分介电层及剩余第一光阻层之透明导电层,且其经由接触窗连接主动元件。在移除剩余之第一光阻层上的透明导电层后,部分介电层上的透明导电层即构成一画素电极。最后,移除剩余之第一光阻层。由于此方法使用光罩数少,可以降低制造成本。
申请公布号 TW200832710 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096102271 申请日期 2007.01.22
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 石志鸿;杨智钧;黄明远
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号