膜形成方法及半导体制程用装置

摘要

在一制程域(process field)中藉由CVD在一目标基板上形成一氧化物膜，该制程域待选择性地供应有一包括一含有膜源元素且不含有胺基之源气体的第一制程气体、一包括氧化气体之第二制程气体及一包括一初步处理气体之第三制程气体。一第一步骤包括一供应由一激发机构激发之该第三制程气体的激发周期，藉此藉由初步处理气体自由基对该目标基板执行一初步处理。一第二步骤执行供应该第一制程气体，藉此将该膜源元素吸附于该目标基板上。一第三步骤包括一供应由一激发机构激发之该第二制程气体的激发周期，藉此藉由氧化气体自由基来氧化吸附于该目标基板上之该膜源元素。