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发明名称
晶粒控制及自我对准之复晶矽薄膜电晶体制造方法
摘要
一种晶粒控制及自我对准之复晶矽薄膜电晶体制造方法,系利用储热岛高热容、低传导系数的特性,延长矽晶粒的成长时间以及控制成核位置,并利用其不透光的性质,当作自我对准闸极之罩幕,节省额外的光罩费用,还可以抑制薄膜电晶体平面显示器因背光源照射电晶体通道区所引起之光漏电效应;另外,闸极可作为自我对准离子布植源/汲极之罩幕。因此能够达到提高电晶体工作效能、缩短制程以及节省制造成本之效。
申请公布号
TW200832713
申请公布日期
2008.08.01
申请号
TW096102950
申请日期
2007.01.26
申请人
国立交通大学;友达光电股份有限公司
发明人
冉晓雯;周政伟;黄振昌;颜国锡
分类号
H01L29/786(2006.01)
主分类号
H01L29/786(2006.01)
代理机构
代理人
林火泉
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号
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