| 摘要 |
一种多孔隙超低介电质材料即时损害量测器，包含一第一导电层、一被覆于第一导电层上之多孔隙超低介电质绝缘层，及一与第一导电层相间隔地被覆于绝缘层上之第二导电层。透过该量测器呈导电层-绝缘层-导电层之结构设计，及绝缘层为多孔隙超低介电质材料设计，可藉由预先侦测量测器在积体电路制程环境中的电容值变化，而事先侦测与评估多孔隙超低介电质材料在实际制程中，可能受制程气体、电浆或先驱物破坏的程度，而有助于改善制程，避免或降低积体电路之多孔隙超低介电质材料损坏率，并可节省积体电路晶片研发成本、缩短研发时间。 |
